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博乐体育详述太阳能电池发电道理(悉数、简便、易懂)

2023-11-26 05:41:42
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  ,大家都知道半导体就是导电性能介于导体和绝缘体之间,但应该不晓得是为什么?

  今天主要分为五块进行总结,半导体能带理论、半导体分类、扩散和漂移、PN结、光生伏特效应。

  导电是因为电子的转移,原子外层有三种能带,我的理解是价带是离原子核比较近的区域,价带中的电子会受到比较强的束缚;导带是离原子核比较远的区域,其中的电子比较自由,在外加电场下可以发生转移,即可以导电;禁带是价带和导带之间的区域,该区域没有电子存在,电子可以吸收能量从价带越过禁带到达导带,这种电子出轨方式叫做“跃迁”。由下图可知,不同物质的禁带区域不同,导体的禁带很窄甚至没有禁带,所以在室温下就可以轻易完成跃迁,电子从价带转移到导带;但是绝缘体的禁带区域比价宽一般大于5eV,在正常室温下就不会发生导电,但是听说在强刺激下也有可能导哈哈;半导体的禁带小于3eV,一般给点刺激(光、热)价带上的电子就可能穿越禁带,到达导带完成跃迁。

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  半导体分为纯净半导体(本征半导体)和掺杂半导体。本征半导体就比较纯,它一般由四价元素硅、锗构成,在外界刺激(热运动)下,其共价键中少数的电子可能会挣脱束缚,完成跃迁,博乐体育就会产生一个自由电子和一个空穴,自由电子可以在外电场作用下定向移动,形成电子电流。如下图:

  掺杂半导体就是在本征半导体里产了其他元素,一般分为两种,就是咱们天天说的P型半导体和N型半导体;其中P型半导体是掺入了三价元素,硼、镓、铟等,原来排列中的硅原子被硼原子代替后,部分电子会被硼原子的空穴代替(图左);N型半导体是掺入了五价元素,磷、锑、砷等,原来排列中的硅原子被磷原子替代,会多出部分电子(图右)。

  1)N型和P型半导体都是呈电中性的哈(很简单的问题我琢磨了好久),因为掺杂的B或P原子本身就是中性的,原子核和电子的数目都是一致的,这里要注意掺杂后的掺杂原子原子核不是原来硅原子的+4了哈。

  2)本征半导体在室温下由于热运动,可以激发出电子空穴对,但是比较少,当然掺杂半导体也可以本征激发出电子空穴对,这些带负电的自由电子和带正电的空穴称为载流子;P型半导体中因为掺杂三价元素,所以空穴在载流子中占多数,所以空穴在P型半导体中被称为多子,自由电子被称为少子;N型半导体中因为掺杂五价元素所以自由电子占载流子多数,被称为多子,N型空穴被称为少子。

  3.扩散和漂移电子或空穴移动形成电流,它们的移动方式有两种,一是扩散,二是漂移;多子的移动叫扩散,其实就像往白水里加了一些墨水,墨水多的区域中的墨水会向少的地方扩散;少子的移动叫漂移,一般是在电动势下,电子或空穴受电场力作用发生的移动;在待会儿要讲的PN结里漂移和扩散是方向相反的两种运动,最终漂移和扩散达到平衡就会形成PN结。4.PN结

  这个名字大家应该很熟悉,从我看光伏第一天,我就知道PN结,但一直也没弄清楚它。我们上边说了P型半导体和N型半导体,当我们把两种半导体放在一块儿时,会发生什么现象呢?首先由于两侧的电子和空穴浓度不同,博乐体育所以会发生电子和空穴的扩散;P型半导体中空穴较多,会扩散到N型中;N型半导体自由电子较多,会扩散到P型半导体中。如下图:

  自由电子和空穴发生扩散运动后,空穴和电子会复合消失,但是不会整个P型半导体和N型半导体的载流子都均匀混合,靠近PN中间的那条线的两边的载流子会优先复合,但远离中间线的电子和空穴不会复合,可以先理解成后边的被前边的离子挡住了,过不去了,所以没法复合。

  P型半导体中有部分靠近PN中间线的原子失去了空穴,变成负离子;N型半导体中部分靠近PN中间线的原子失去了电子,变成了正离子;P型半导体和N型半导体中间接触的部分会形成一个空间载荷区。如下图:

  在空间载荷区中,左端P区的负离子会和右端N区的正离子形成一个自建电场,会产生电场力;电流方向是绿色箭头,此时空穴会受电场力影响从右向左移动,电子会受电场力影响从左向右移动,没错这就是上边说过的电子和空穴的漂移;可以发现漂移就相当于是刚刚扩散过去的电子和空穴又漂移了回来,所以最终当漂移和扩散运动达到均衡时,中间的这个空间载流区就会趋于稳定,形成PN结。如下图:

  PN结其实就是一个二极管博乐体育,具有单向导电性,在其外部接正向电源时(正接N,负接P),与自建电场方向相同,电子和空穴漂移会增加,PN宽度减小,电流可以很顺利的流过,应该就是电阻小的意思吧;在其外部接负向电源时(正接P,负接N),与自建电场方向相反,电子和空穴的扩散会增加,PN结区域会增加,电流不可以顺利通过,电阻最后会趋于无限大。(就是正接可以通电,反接不能通电)

  终于到最后了,回忆一下,半导体在外界刺激下,被原子核束缚的电子可以从价带跨越禁带进入导带,成为自由电子,放飞自我。

  我们的太阳光就是这个刺激,当太阳光照射在上边那个由P型和N型半导体构成的大半导体上时,有三个区域的原子会产生受光子影响,产生跃迁反应,形成电子空穴对,分别是:PN结区域,除PN结以外的P型和N型半导体区域,就是整块每个地方都有可能会产生电子空穴对。如下图:

  在PN结上光照产生的电子受到电场力的影响,会被扔到N型区,PN结上产生的空穴因为受电场力影响,会被扔到P型区;还有少数在PN结边上的电子空穴也有可能穿过PN结,但应该可能性不大;此时太阳能电池就已经形成,在该半导体两端接上回路便可产生电流。这就是太阳能电池发电啦!

  最后总结一下:1.首先是在本征半导体里掺杂三价和五价元素,形成P型/N型半导体。(就是做硅片时,掺杂形成P型/N型硅片)

  2.P型和N型半导体放在一起,由于多子的扩散和少子的漂移,形成PN结。(做电池片时会在硅片上进行进一步掺杂,形成PN结)

  3.光照射在PN结,电子从价带跃迁到导带,形成自由电子和空穴,在电场力影响下定向移动至N和P处,外接回路即可形成电流。

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